品牌 fui日本富士通 型号 7mbr35sd120 种类 结型(jfet) 沟道类型 n沟道 导电方式 增强型 用途 mos-fbm/全桥组件 封装外形 p-dit/塑料双列直插 材料 mes金属半导体 开启电压 11(v) 夹断电压 11(v) 低频跨导 11(μs) 极间电容 11(pf) 低频噪声系数 11(db) 大漏极电流 11(ma) 大耗散功率 11(mw)
7mbr35sd120 fui日本富士通
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- 电子元件 - 场效应管 - 结型场效应管(N沟道)
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- fui日本富士通
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- 7mbr35sd120
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