手机站 品牌 tos日本东芝 型号 mig200j201h 种类 结型(jfet) 沟道类型 n沟道 导电方式 增强型 用途 mos-fbm/全桥组件 封装外形 cer-dip/陶瓷直插 材料 mes金属半导体 开启电压 12（v） 夹断电压 12（v） 低频跨导 22（μs） 极间电容 22（pf） 低频噪声系数 22（db） 大漏极电流 22（ma） 大耗散功率 22（mw）
东芝igbt模块mg200j201h
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- 电子元件 - 场效应管 - 结型场效应管(N沟道)
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